NISTの研究者は、9nmのナノ粒子に磁界をかけると、核部分(内部7nm)は磁界の極に沿って並び、シェル(厚さ1nm)はモメントを形成し、核とは直角の方向に向くことを発見した。この現象を理解し、コントロールできれば、実際の応用が期待できる。
Archive for May, 2010
磁界下でのナノ粒子の核とシェルの挙動
Friday, May 28th, 2010光学レゴブロック:ナノシェル構造の形成
Friday, May 28th, 2010米国4大学からなる科学者は、ライス大学の光に起動されるナノシェルを使って、化学センサー、ナノレーザー、光を吸収する材料になる2D,3D構造を作る方法をみだした。方法は,玩具のレゴブロックを使って、3Dモデルを組みたれるのと同じように、光を捉え、保持市、曲げる複雑な構造を、化学自動組み立て方法を用いて形成する。
Thermoelectric Generator Module
Friday, May 28th, 2010A research group at AIST developed a new thermoelectric materials using Ba , Ga and Sn and constructed a thermoelectric generator module using it. The prototype module was tested at the temperature difference of 300 ˚C (hot side: 330 ˚C, cool side: 30˚C). The output is 1.7 W and the efficiency is approximately 4%, which are comparable to those for conventional thermoelectric generator modules.
Nano hybrid catalyst that uses less precious metals
Thursday, May 27th, 2010A research group at Tohoku University developed a nano porous compound metal that uses less precious metal. This development may lead to applications for inexpensive and highly functional catalysts and biosensors. The researchers formed a nano porous copper by dealloying copper alloy and plating a thin gold film on the surface.
Gallium Nitride HEMT Amplifier
Thursday, May 27th, 2010Fujitsu developed a GaN HEMT amplifier that works in C, X and Ku bands (6 ~ 18 GHz) bands and its output is 12.9 W which is twice of the conventional output. The amplifier reduces size and weight of raider devices and wireless communication system because it covers multiple bands.
High sensitivity 3D imaging sensor using LED
Wednesday, May 26th, 2010Panasonic developed a unique high sensitivity 3D imaging sensor which uses a near infrared LED instead of laser. The near infrared LED is safe for human, allows to use under strong external lights and has a wide recognition angle (horizontal: 60˚).
グラファンの新しいポテンシャル
Wednesday, May 26th, 2010ライス大学の研究者は、2次元シートのグラファンから計画的に水素原子を取り除くことにより量子ドットが形成されることを発見した。グラフィンは、グラフェンの両側に水素を加えたもので、絶縁体である。この発見は、非常に制御がしやすい量子ドットの半導体特性を使ったナノ電子機器の縮小に新しい可能性を与える。
ヘリウム原子のペアポテンシャル
Tuesday, May 25th, 2010デラウェア大学の研究者は、ヘリウムの2原子間に働くペアポテンシャルの最も正確な理論的計算をした。計算において、電子と核の運動のカップリング、特別相対性理論の貢献、電子と磁界の相互作用による量子電磁力学の貢献が考慮されている。このポテンシャルを用いて計算されたヘリウムの熱物性は、測定機器のキャリブレーションに使われる。
Ultra high density semiconductor quantum dot formation technology
Tuesday, May 25th, 2010In the technology of the semiconductor quantum dot structure formation, NICT succeeded to stack 300 layer quantum dots, which is the world record. The density is more than 100 times of the self organized quantum dot. A prototype semiconductor laser manufactured with this ultra high density semiconductor dot emitted laser in the communication wavelength band at up to 80 ˚C. The technology allows realizing a wide band laser that does not require temperature control and contributes to lower power consumption and cost of networks.
燃料電池技術の進歩
Monday, May 24th, 2010ブラウン大学の研究者は、パラジウムが核で鉄-プラチナをシェルとするナノ粒子が商業化された純粋プラチナ触媒より優れ、長持ちすることを照明した。